双极结晶体管或更简单的BJT,是3终端的电子半导体设备。它们基本上是由掺杂材料制成的,并经常用于开关或放大应用。

从本质上讲,每个双极晶体管中都有一对PN结二极管。这一对被连接起来,形成一个夹层,将一种半导体放在相同的两种类型之间。因此,只能有两种类型的双极夹层,这就是PNP和NPN。

BJT是电流调节器。原则上,通过允许或限制主电流来调节通过的主电流的数量,这是由来自基极的较小的电流处理的,并与之相符。较小的电流被称为 “控制电流”,即 “基极”。受控电流(主)要么是从 “集电极 “到 “发射极”,要么反过来。这实际上取决于BJT的类型,即PNP或NPN。

如今,NPN双极晶体管是这两种类型中最常用的。其主要原因是,与半导体中的空穴迁移率相比,NPN的电子迁移率更高。因此,它允许更大的电流量,并且运行速度更快。此外,NPN更容易用硅制造。

对于NPN晶体管,如果发射器的电压低于基极的电压,电流将从集电极流向发射器。有少量的电流也会从基极流向发射极。流经晶体管的电流(从集电极到发射极)是由基极的电压控制的。

“基极”即NPN晶体管的中间层,是一种轻度掺杂的P半导体。它被夹在两个N层之间,其中晶体管的N型集电极被严重掺杂。对于PNP,当基极相对于发射极被拉低时,晶体管就会 “打开”,或者换句话说,在共发射极模式下离开基极的小电流在集电极输出中被放大。

NPN和PNP的区别

  1. NPN的电子迁移率比PNP高。因此,NPN双极晶体管往往比PNP晶体管更受青睐。
  2. NPN比PNP更容易从硅中制造出来。
  3. NPN和PNP的主要区别在于基极。一个正好是另一个的反面。
  4. NPN的基极是Pope半导体,而PNP的”基极”是Nope半导体。
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