EEPROM和闪存的区别

当涉及到存储介质时，闪存是一个非常流行的术语，因为它被手机、平板电脑和媒体播放器等便携式设备使用。闪存实际上是EEPROM的后代，EEPROM代表电可擦除可编程只读存储器。EEPROM和闪存之间的主要区别在于它们使用的逻辑门的类型。EEPROM使用较快的NOR(非和OR的组合)，而闪存使用较慢的NAND(非和安德)类型。NOR 类型比 NAND 类型快得多，但存在可负担性问题，因为前者比 NAND 类型贵得多。

EEPROM相对于闪存的另一个优势在于如何访问和擦除存储的数据。EEPROM可以逐字节或一次访问和擦除数据。相比之下，Flash只能逐块地做到这一点。为了简化整个事情，单个字节被分组到较少数量的块中，每个块中可以有数千个字节。当一次只想读取或写入一个字节时，这有点问题;这是执行程序代码通常需要的。这就是为什么闪存不能用于需要逐字节访问数据的电子电路的原因。闪存中的数据也可以执行，但需要事先将其作为一个整体读取并加载到RAM中。

EEPROM被设计为阅读比写入的要多得多。这与电子电路的编程一致，在电子电路中，在测试程序时多次写入芯片。然后，它被永久存储，只是在每次需要数据时才被读取。这不太适合定期写入和读取数据的存储介质。

在典型使用中，闪存主要用于指代存储介质，范围从 GB 到数百 GB 不等。相比之下，EEPROM通常保留用于电子芯片中的永久代码存储。典型值范围从千字节到几兆字节。