BJT和MOSFET的区别

晶体管BJT和MOSFET对放大和开关应用都很有用。然而，它们具有明显不同的特性。

BJT，即双极结晶体管，是一种取代过去的真空管的半导体器件。这种装置是一种电流控制的设备，集电极或发射器的输出是基极电流的函数。基本上，BJT晶体管的工作模式是由基极的电流驱动。BJT晶体管的三个终端被称为发射器、集电极和基极。

一个BJT实际上是一块有三个区域的硅片。其中有两个结，每个区域都有不同的名称 “P和N”。有两种类型的BJT，NPN晶体管和PNP晶体管。这两种类型在其电荷载体上有所不同，其中，NPN的主要载体是空穴，而PNP的主要载体是电子。

PNP和NPN这两种BJT晶体管的工作原理实际上是相同的；唯一的区别是偏置，以及每种类型的电源的极性。在低电流应用中，许多人更喜欢使用BJT，例如用于开关目的，仅仅是因为它们更便宜。

金属氧化物半导体场效应晶体管，或简称MOSFET，有时也是MOS晶体管，是一种电压控制的设备。与BJT不同，没有基极电流存在。然而，有一个由栅极上的电压产生的场。这允许源极和漏极之间有电流流动。这种电流流可以被栅极上的电压切断，或打开。

在这种晶体管中，在氧化物绝缘的栅极上的电压可以在其他触点 “源极和漏极 “之间产生一个传导通道。MOSFET的伟大之处在于它们能更有效地处理功率。如今，MOSFET是数字和模拟电路中最常用的晶体管，取代了当时非常流行的BJT。